開(kāi)啟磁場(chǎng)非失調(diào)磁控濺射偏壓對(duì)CrN鍍層附著學(xué)性能莫須有
采納TeerUDP650型閉合場(chǎng)非失調(diào)磁控濺射離子鍍?cè)O(shè)施沉積CrN鍍層,經(jīng)過(guò)調(diào)變偏壓失掉相反構(gòu)造和性能的CrN鍍層。嘗試用劃痕法測(cè)定了鍍層聯(lián)合強(qiáng)度、用球-盤步驟測(cè)定了鍍層附著系數(shù)和比磨損率、用壓入法評(píng)估鍍層韌性,硬度測(cè)試在維氏硬度計(jì)上繼續(xù)。試驗(yàn)后果表明,隨著濺射偏壓的升高,離子速流普及,偏壓過(guò)低或過(guò)高均使沉積速率上升,-50V～-70V偏壓時(shí)沉積速率根本維持穩(wěn)固。CrN鍍層的硬度隨偏壓的升高而升高,但隨同著韌性的上升。高偏壓下沉積的鍍層附著系數(shù)呈上升趨向,偏壓在-40V～-70V間制備的鍍層對(duì)磨WC球時(shí)簡(jiǎn)直不磨損,但當(dāng)偏壓從-70V普及到-80V時(shí),磨損顯然加深。
與輕工業(yè)利用最早的TiN硬鍍層相比,CrN鍍層因?yàn)镃r元素和鋼中Fe的親和力比Ti高,有可能進(jìn)一步普及膜基聯(lián)合強(qiáng)度;Cr與氧的親和力比Ti低,可能普及鍍層抗氧化威力,同聲CrN硬度固然比TiN低,但韌性可能高,CrN不如TiN脆,也使得鍍層內(nèi)應(yīng)力低,從而能夠制備薄厚較大的鍍層,Cr和氮低親和力也可普及靶抗酸中毒性能。諸多的長(zhǎng)處使CrN鍍層失掉了越來(lái)越寬泛的利用。
相反制備步驟失掉CrN鍍層的性能存在較大的差異,泛濫文獻(xiàn)對(duì)CrN鍍層的組成、宏觀構(gòu)造、硬度和致密度及附著學(xué)性能與鍍層沉積步驟和工藝參數(shù)間的關(guān)系繼續(xù)了較為詳盡的鉆研。R.Hoy等的鉆研后果覺(jué)得隨偏壓的升高,CrN鍍層硬度和致密度普及,偏壓小于-50V時(shí),離子能量和束流均很小,但勝于-50V后因存在二次等離子體而使得內(nèi)應(yīng)力顯然上升。J.J.Olaya覺(jué)得非失調(diào)磁控濺射沉積CrN鍍層時(shí),脈沖偏壓能量對(duì)Cr/N比無(wú)莫須有,強(qiáng)加-100V偏壓時(shí),CrN鍍層呈顯然的(200)取向,但鍍層晶粒尺寸有所長(zhǎng)大,鍍層的硬度和耐蝕性普及了。JyhWeiLee也發(fā)現(xiàn)了偏壓對(duì)硬度莫須有顯然,-290V時(shí)硬度普及到20GPa,取向從(111)向(200)轉(zhuǎn)變,但偏壓對(duì)聯(lián)合力無(wú)顯然莫須有,有無(wú)偏壓時(shí)鍍層聯(lián)合強(qiáng)度均較高。MinJ.Jung覺(jué)得鋼基體上CrN鍍層在100V偏壓時(shí)取向由(200)變?yōu)?220),但在玻璃和Si基體上鍍層取向不隨偏壓而變遷;E.Forniés等鉆研了偏壓對(duì)CrN鍍層磁控濺射沉積速率、鍍層構(gòu)造、硬度以及耐磨性的莫須有,后果表明偏壓過(guò)高時(shí),會(huì)所以離子束流能量太高而導(dǎo)致二次濺射。同聲高N2流量條件下也可能因靶酸中毒而導(dǎo)致沉積速率上升。還發(fā)現(xiàn)偏壓增多,鍍層構(gòu)造由柱狀晶變?yōu)榈容S晶,硬度普及,N2高流量時(shí)磨損率會(huì)上升。S.Ortmann1的鉆研后果指出,無(wú)偏壓時(shí)CrN呈多孔型構(gòu)造,各柱狀晶間彼此金雞獨(dú)立;偏壓升高到-150V后柱狀晶被顯然壓致密了,而且涌現(xiàn)了多面體構(gòu)造,晶粒尺寸約50nm,并涌現(xiàn)類針狀構(gòu)造,偏壓接續(xù)普及到-300V后晶粒長(zhǎng)大到250nm-300nm,此時(shí)鍍層名義變得毛糙。
上述文獻(xiàn)在偏壓對(duì)CrN鍍層的致密度、晶粒度和取向、以及硬度、耐蝕性等獲得了一些鉆研成績(jī),然而嘗試后果也不甚統(tǒng)一,對(duì)鍍層韌性和附著學(xué)性能鉆研波及不多,而該署性能對(duì)鍍層的輕工業(yè)利用起到要害作用。白文利用閉合磁場(chǎng)非失調(diào)磁控濺射零碎制備了相反偏壓條件下的系列鍍層,綜合鉆研偏壓對(duì)鍍層沉積速率、聯(lián)合強(qiáng)度、硬度和附著系數(shù)、磨損率以及鍍層韌性的莫須有法則,為該類鍍層的輕工業(yè)利用提供實(shí)踐根據(jù)。1、試驗(yàn)步驟
用TeerUDP550型非失調(diào)磁控濺射離子鍍零碎制備CrN鍍層,試樣基體為M42高速鋼圓片和(100)單晶硅片,鋼質(zhì)基體名義用1μm金剛石研磨拋光,用來(lái)鍍層薄厚、附著系數(shù)、比磨損率測(cè)試,在硅片試樣上采納壓入法測(cè)定四角裂紋長(zhǎng)短以直接評(píng)估鍍層韌性。所有試樣裝置在同一個(gè)能夠三軸轉(zhuǎn)動(dòng)的試樣架上。鍍膜時(shí)背底真空度2.7×10-3Pa,作業(yè)氣壓4×10-1Pa,Cr靶輸出功率214kW,氬氣旋量10sccm。鍍膜內(nèi)中中經(jīng)過(guò)檢測(cè)靶名義濺射原子團(tuán)激起時(shí)產(chǎn)生的輝光強(qiáng)弱來(lái)調(diào)節(jié)反響氣體N2的流量,以維持等離子體體中濺射粒子數(shù)的靜態(tài)恒定,從而達(dá)成準(zhǔn)確掌握鍍層成份的目標(biāo)。嘗試中靶名義輝光絕對(duì)強(qiáng)度用OEM值表征,假如未通入反響氣體(本試驗(yàn)反響氣體為N2)時(shí),靶名義濺射離子某跨度的輝光強(qiáng)度為100%,當(dāng)通入定然流量的反響氣體結(jié)束沉積后,靶名義濺射離子該跨度的輝光強(qiáng)度因全體濺射離子與反響氣體反響生成了復(fù)合物而將升高到定然值,此值即界說(shuō)為OEM值。CrN鍍層沉積時(shí)OEM值設(shè)置為60%恒定一成不變,經(jīng)過(guò)改觀基體脈沖偏壓大小曲節(jié)離子對(duì)鍍層成長(zhǎng)時(shí)的轟擊強(qiáng)度,調(diào)變鍍層組織構(gòu)造以及性能,脈沖偏壓效率250Hz,脈沖幅度500ns。相反鍍層樣品的沉積參數(shù)如表1。
表1 鍍層工藝及地膜薄厚
用球坑儀測(cè)量鍍層薄厚。在MH-5型顯微硬度計(jì)用努氏壓頭測(cè)定鍍層硬度,壓入載荷25g。用英國(guó)Teer公司研制的ST2200劃痕儀定量測(cè)量鍍層的聯(lián)合強(qiáng)度,載荷從10N加到85N,滑行進(jìn)度10mm·min-1。用POD2I型球盤附著磨損嘗試測(cè)定鍍層附著系數(shù),并在磨損軌跡上做球坑以確定鍍層的比磨損率SWR(Specificwearrate),附著配副為直徑5mm的WC26%Co球,載荷20N,絕對(duì)附著進(jìn)度200mm·s-1,附著工夫30min。鍍層韌性采納在硅片試樣上用維氏壓頭在定然載荷下壓入后,測(cè)定壓坑四角裂紋總長(zhǎng)的步驟來(lái)直接評(píng)估。2、試驗(yàn)后果2.1、相反偏壓下偏壓直流電和沉積速率的變遷
圖1為CrN地膜在非失調(diào)磁控濺射沉積中的基體偏壓和偏壓直流電的關(guān)系。因?yàn)殄兡?nèi)中中采納了相反的三軸轉(zhuǎn)舉動(dòng)業(yè)臺(tái),試樣單位、形態(tài)一成不變,因而能夠覺(jué)得整個(gè)負(fù)極(作業(yè)臺(tái))名義積定然,那樣就用偏壓直流電直接評(píng)估試樣名義失掉的離子轟擊束流密度。后果表明,普及基體偏壓,離子束流逐步增多,但隨著偏壓的進(jìn)一步增多,離子束流增多進(jìn)度逐步減慢。從圖1中相反偏壓下鍍層的沉積速率變遷曲線可見(jiàn),普及基體偏壓,結(jié)束時(shí)沉積速率呈上升趨向,-50V～-70V偏壓沉積速率根本穩(wěn)固,接續(xù)增多偏壓又結(jié)束上升。
圖1 偏壓直流電,沉積速率和偏壓關(guān)系曲線 圖2 偏壓對(duì)CrN鍍層聯(lián)合強(qiáng)度莫須有2.2、偏壓對(duì)鍍層聯(lián)合強(qiáng)度的莫須有
圖2的鍍層聯(lián)合強(qiáng)度隨偏壓的變遷法則表明,強(qiáng)加-40V～-50V偏壓時(shí)鍍層聯(lián)合強(qiáng)度很好,臨界載荷均達(dá)成85N,偏壓勝于-50V后結(jié)束涌現(xiàn)劃痕邊緣剝落景象(見(jiàn)圖2上方劃痕軌跡照片),然而即便
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